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變頻供水設(shè)備
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返回目錄1.基本用法用BJT晶體管實現(xiàn)開關(guān)功能是一種常用的實用電路。與邏輯門電路一樣，將BJT用于開關(guān)電路時，也只能在飽和區(qū)域和截止區(qū)域工作。如下圖所示，開關(guān)功能的實現(xiàn)電路也可以是發(fā)光二極管、電機(jī)等。圖3-10.01開關(guān)電路的動作原理如下。向vi輸入0V時，晶體管截止，負(fù)載RL中沒有電流流動向vi輸入高電平時，晶
3358www.Sina.com/基本開關(guān)電路是應(yīng)用廣泛的重要電路，主要為一、基本開關(guān)電路：，數(shù)字開關(guān)電路和3http://www.Sina.com/模擬開關(guān)電路主要由晶體管或MOS管構(gòu)成，該開關(guān)電路廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、LED驅(qū)動和繼電器驅(qū)動等應(yīng)用場合，是最常用的開關(guān)電路。機(jī)械開關(guān)電路模擬信號與數(shù)字信號
轉(zhuǎn)載3359blog.csdn.net/hailin0716/article/details/24333951一、推挽輸出：可以輸出高，低電平，連接數(shù)字設(shè)備；推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個晶體管分別由兩個互補(bǔ)的信號控制，總是一個晶體管導(dǎo)通時另一個截止。高低等級由集成電路的電源決定。推挽電路是兩個參數(shù)相同的晶體管或MO
VMOS功率場管的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖如圖1所示。圖1(b)是p溝道VMOS管的柵極形成為v溝狀，因此柵極表面和氧化膜表面的面積大，有利于大電流控制。由于柵極仍然與漏極、源極絕緣，VMOS管也是絕緣柵場效應(yīng)管。漏極d從芯片引出。與MOS管相比，—源極和兩極面積較大，二是垂直導(dǎo)電(MOS管沿表面水平導(dǎo)電)
VMOS功率場管的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖如圖1所示。圖1(b)是p溝道VMOS管的柵極形成為v溝狀，因此柵極表面和氧化膜表面的面積大，有利于大電流控制。由于柵極仍然與漏極、源極絕緣，VMOS管也是絕緣柵場效應(yīng)管。漏極d從芯片引出。與MOS管相比，—源極和兩極面積較大，二是垂直導(dǎo)電(MOS管沿表面水平導(dǎo)電)
CDL/CDM系列罐式無負(fù)壓智能供水設(shè)備擁有全新的工業(yè)設(shè)計和色彩搭配，標(biāo)配智能靜音泵，水泵專用水冷
泵房一體化變頻供水設(shè)備定制室外一體化泵站，一體化水泵房安裝簡單。成套設(shè)備運(yùn)抵現(xiàn)場，直接對接管路即可。方便安裝與維護(hù)使用，是農(nóng)村以及偏遠(yuǎn)山區(qū)二次增壓供水的推廣產(chǎn)品。
工業(yè)循環(huán)用水/恒壓/無負(fù)壓變頻給水設(shè)備
工業(yè)生產(chǎn)用水中，循環(huán)水系統(tǒng)的補(bǔ)水以及增壓給水設(shè)備推薦采用全套不銹鋼系統(tǒng)，對水質(zhì)無二次污染。特殊企業(yè)工廠可采用防腐材料。如有需求歡迎來電咨詢：18932453205（張工）。以上項目案例供水系統(tǒng)，采用的是不銹鋼水箱配套全自動恒壓變頻增壓供水設(shè)備，滿足工業(yè)用水需求。
成套無負(fù)壓供水設(shè)備是一種理想的節(jié)能供水設(shè)備，它是一種能直接與自來水管網(wǎng)連接，對自來水管網(wǎng)不會產(chǎn)生任何副作用的二次供水設(shè)備，全封閉、無污染、占地量小、安裝快捷、運(yùn)行可靠、維護(hù)便利等諸多優(yōu)點。
全自動無塔供水設(shè)備是屬于一體化智能供水設(shè)備，它可直接與市政管網(wǎng)連接，不需要不銹鋼水箱，充分利用管網(wǎng)壓力，杜絕水質(zhì)二次污染；無塔供水設(shè)備采用小型化、一體式設(shè)計，便于現(xiàn)場快速安裝、布局；同時還集成了高效水泵、電機(jī)和一體化變頻器等于一體，并結(jié)合了智能的控制算法，大大節(jié)能運(yùn)營成本。
